半導体用語集
単純トレンチセル
英語表記：simple trench cell
平板型キャパシタの横方向の寸法を微細化するために、トレンチを掘ることで蓄積電極部分のシリコン表面を深さ方向に押し込んでいったのが単純トレンチセルである。
単純トレンチセルの概略のウェハプロセスは次のようになる。選択酸化でフィールド絶縁膜を形成した後、トレンチが転送トランジスタの一方のソース・ドレイン拡散層予定位置に隣接して掘り込まれる。トレンチ内壁にキャパシタ誘電膜となるSiO₂膜やON膜を形成し、これを覆ってポリシリコンからなるセルプレートが埋め込まれる。セルプレートには転送トランジスタとビット線コンタクトを形成する一連の領域に窓開けされ、次に転送トランジスタのゲート酸化膜、ワード線、ソース・ドレイン拡散層が順次形成される。以上をBPSGなどの絶縁膜で覆い、ビット線コンタクト窓を開け、ビット線が形成されてDRAMセルとなる。
単純トレンチセルの利点は、上記のようにキャパシタ形成工程が単純で、工程数を短くできることである。
一方、単純トレンチセルの弱点は、ストレージノードがシリコン基板内に深く形成されていることにある。この構造では、同じく基板内に深くせり出している隣接セルのストレージノードと電気的に分離するのが難しく、微細化に限界があった。また同様に単純トレンチの構造に起因して、アルファ線などによるソフトエラーに弱いという問題がある。アルファ線の経路に沿って生成する電荷を捕獲する確率が高いためである。スタックドキャパシタであれば拡散層は表面だけであるし、面積もはるかに小さいため、この捕獲確率が小さくてすむ。結果として単純卜レンチセルではスタックセルにくらベて蓄積容量を2倍程度に大きくする必要があった。以上のような弱点を克服するため、トレンチキャパシタは基板プレート型などの方式に移行していった。
関連製品
「単純トレンチセル」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「単純トレンチセル」に関連する用語が存在しません。
「単純トレンチセル」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
