半導体用語集
原子・励起分子ビーム照射法
英語表記：atom・excited molecule beam etching
活性なラジカルをノズルから噴出させて基板表面に照射する方法は今まで多く試みられた。まず、CF4/02プラズマで生じたフッ素原子をノズルから多結晶Siに照射され、その直下では方向性形状がえられたが、少し離れるとビームの並進速度が急激に低下し、通常の等方性形状を生じた。 また、ホットジェットと呼ばれる方法では、Cl2やSF6をアルミナ管に導入し、外周に招かれたヒータにより加熱され、アルミナ管に接続されたW管を1,500～2,000℃の高温にしてガスを分解し、生成されたラジカルのジェットビームを基板表面に照射する。導入するガスを選択することにより、GaAsやSiやPbを600～104nm/分の高速工ッチングが実現されている。しかし、パターン底面で反射したラジカルが側壁に当たりアンダカットが発生する。この欠点にかんがみてホット分子法が開発された。本方法は、C12ガスをラジカルに分解させない830℃に加熱した石英管に通して噴出させ、基板に照射する。噴出時には、断熱冷却によって分子の回転エネルギーは減少するが、振動エネルギーは減少しない。したがって、振動および並進エネルギーが励起されたビームが入射する。この方法で、180℃に加熱したSi02をマスクとする多結品Siに照射し、3.1nm/分の工ッチング速度で異方性形状が達成された。この特徴は、振動励起 C12*はパターン底面で脱励起されて不活性化するため側壁をェッチングしないことである。しかし、単結晶Siはほとんどエッチングされない。
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