半導体用語集
反応性プラズマ計測
英語表記：reactive plasma measurement
反応性ガスを用いたプラズマの物性を計測することを反応性プラズマ計測という。希ガスによるプラズマが主として物理的特性を有しているのに対して、反応性ガスを導入した反応性プラズマにおいては、反応性ガスの分解により化学的に活性な粒子（ラジカル、イオン）が生成され、プラズマの構造や反応性が希ガスプラズマとは大きく異なる。半導体の製造プロセスには、このような反応性プラズマが用いられている。高精度のプロセス技術を確立するためには、反応性プラズマの物性を計測することが重要である。電子密度や電子温度については、ラングミュアプローブやトムソン散乱法により計測することが可能である。化学的に活性なラジカルやイオンの密度については、レーザなどを用いた分光学的手法や粒子的分析法を用いて計測可能である。これらの粒子密度とそのエネルギ一分析は、プラズマ反応容器中において時間・空間的に行われ、プラズマの構造や粒子の反応過程を解明するうえで重要である。反応性プラズマ計測の結果は、実際の薄膜形成やエッチングなどの諸特性と比較することによって、圧力、パワー、流量、温度などの外部パラメータにフィードバックされ半導体製造装置やプロセスの開発が行われる。
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