半導体用語集
吸収体エッチング
英語表記：absorber pattern etching
X線マスクの吸収体パターンを形成するためのエッチング。一般にECR (Electron Cyclotron Resonance)プラズマエッチングなどのドライエッチングが用いられる。吸収体がタンタル(Ta)やタングステン (W)およびその合金からなることから、エッチングガスには、タンタルの場合は塩素・酸素系の混合ガス、タングステンの場合はフッ素系混合ガスが用いられる。また、電子ビーム描画用レジストとの選択比が十分でないため、通常は酸化膜やクロム膜などのエッチングマスク(ハードマスク)が用いられる。まず、電子ビーム描画装置を用いてマスクパターンの描画を行い、現像後のレジストパターンをエッチングマスクとして酸化膜やクロム膜をドライエッチングする。これをエッチングマスクとして、目的の吸収体パターンのエッチングを行う。X線リソグラフィは等倍リソグラフィであるので、マスクパターンのパターン寸法や形状には非常に高い精度が要求される。しかしながら、100 nm領域のエッチングではマイクロローディング効果と呼ばれるパターン寸法に依存したエッチング速度の変化が起こり、すべてのパターンに対して均ーなエッチングを行うことが非常に難しくなってくる。この問題をいかにして解決するかが極微細バターンの吸収体エッチングの課題である。このためにエッチング基板の温度制御は、いまや常識となっている。
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