半導体用語集
基板プレート型トレンチセル
英語表記：substrate plate trench cell
通常のトレンチ型セルは、シリコン基板を蓄積電極とし、溝内にキャパシ夕絶縁膜を介して設けられた導電体（通常ドープトボリシリコン）をプレート電極とするのに対し、基板プレート型トレンチセルは、シリコン基板側をプレート電極、溝内の埋め込み電極を蓄積電極としている点に特徴がある。このため、通常のトレンチキャパシタで用いている溝の外壁に沿って形成されていた拡散層が不要になり、pn接合面積を大幅に滅らせる。この結果、接合によるリーク電流を減らせ、データリテンション時間を増大できる可能性がある。またpn接合にα線が入射することによって発生するα線のソフトエラー問題を低滅できる。
さらに、共通電極であるプレート電極をシリコン基板自体で形成できるため、1層分の配線層を滅らすことができるというメリットもある。
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