半導体用語集

多段熱処理

英語表記:multi steps annealing

主にシリコンウェーハの内部に微小欠陥を形成および成長させる熱処理方法。700℃前後の低温熱処理で微小欠陥の核を形成させ、次に1000℃前後の高温熱処理で微小欠陥を成長させるなど、欠陥を検出しやすくする目的で行われる。低温と高温の二段または多段の組合せで行う熱処理方法。


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