半導体用語集
平行平板型エッチング装置
英語表記：parallel flat Plane type etching eqmpment
ハロゲン、またはハロゲン元素を含む反応性ガスやこれらの混合ガスの放電プラズマを利用してエッチングを行う装置で、一対の平行平板電極を有することを特徴とする装置。この様式の装置は、半導体製造プロセスに広く実用化されている。
プラズマ中に存在する化学的に活性な中性種とシースによって加速され物理的なエネルギーを持つイオンを利用してエッチングを行うことからRIE (Reactive Ion Etching)装置と呼ぶこともある。
多くの場合、平行平板電極の片方は、接地されており(接地電極と呼ぶ)、他方はプラズマ励起用のRF電力がマッチングネットワークを介して印加できるようになってる(励振電極と呼ぶ)。ウェハは、励振電極に取りつける場合と接地電極に取りつける場合があるが、これは、被エッチング物の種類によって、イオンエネルギーの最適値が異なるためである。通常、励振電極は直流自己バイアスが発生するので、この効果により、接地電極よりも高いイオンエネルギーをえることが可能である。イオンのエネルギーはRFの周波数によっても制御できる。放電維持電圧が比較的高く,外部電圧の変化にイオンが追従する低周波では、イオンエネルギーを高めに取ることが可能である。
しかし、動作周波数と圧力を固定すると、プラズマ密度とイオンエネルギーの独立制御が難しいという欠点を持つ。この問題を解決するために、二つの電極に独立してRF電力を印加できる装置も検討されている。しかし、動作周波数と圧力を固定すると、プラズマ密度とイオンエネルギーの独立制御が難しいという欠点を持つ。この問題を解決するために、二つの電極に独立してRF電力を印加できる装置も検討されている。
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