半導体用語集
反応性イオンエッチング
英語表記：Reactive Ion Etching: RIE
反応性イオンエッチングには，平行平板型，ECR型，マグネトロン型など多数の方法がある。いずれにしても，プラズマを作り，平板状の基板ホルダの上にウェハをのせ，これに高周波あるいは直流電圧を印加する。プラズマ中に発生したイオンは，電界により，基板に垂直入射し，異方性エッチングをラジカルとともに行う。平行平板型エッチング装置は，スパッタ装置がマグネトロンスパッタになる前に用いられた二極スパッタ装置を用いている。スパッタ装置のターゲット上に試料を置くと，試料はエッチングされる。これがスパッタエッチングである。この場合，アルゴンなどの不活性ガスイオンは試科に垂直入射するので，完全な異方性エッチングである。アルゴンの替わりにハロゲン化物を含むフロンガスなどの活性ガスを用いるとエッチング速度は異方性を維持しながら数10倍にもなることが見い出され，これが反応性イオンエッチングの始まりである。これは，プラズマ中にできたイオンと励起活性種が同時に試料に作用し，物理的かつ化学的にエッチングを行うためと考えられている。プラズマ中にある励起活性種は，プラズマ中にあるイオンより桁違いに多い。そのため，プラズマエッチングと同様，等方エッチングと考えやすいが，実際には優れた異方性エッチングを示す。これは，入射イオン衝撃で被基板表面で結晶の非晶質化などの活性点ができ，高速で反応を繰り返すことによって異方性エッチングが実現する。この方法は，エッチング速度比の高い選択比，生産性の高い高速エッチングなどの特徴がある。
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