半導体用語集
ダマシン
英語表記：damascene
半導体デバイスの製造プロセスにおいて、絶縁膜上に配線溝を形成した後に配線金属を堆積し、研磨によって溝内にのみ配線金属を残し、多層配線を形成する手法のこと。ダマシンには象がんの意味がある。IBMのグループにより名づけられた。ダマシン法には、シングルダマシンとデュアルダマシンがある。シングルダマシンは、配線溝、ビアホール（上層配線と下層配線をつなぐ部分）を、別々に形成する方法であり、デュアルダマシンは、配線溝とビアホールを形成した後、配線金属を堆積し両方を同時に埋め込み、研磨を行って配線を形成する。ダマシン法は、銅のようにドライエッチングが難しいため、従来の配線技術では使えなかった金属でも配線材料として使える。配線金属を研磨するため層間の平坦化をしなくても、平坦な配線構造が得られるため微細配線の多層化が容易という利点を持つ。特に、デュアルダマシンは、製造工程数も短縮できるため、製造コストを削減できる技術として注目されている。
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