半導体用語集
平坦化
英語表記：planarization
<p>半導体製造プロセス工程において、ウェハ表面の凹凸を平滑化する技術のことをいう。平坦化が必要な理由は、ウェハ表面に凹凸が存在すると、その上部の配線層の写真製版やエッチングが困難となり微細パターン形成が不可能となること、段差部での配線の被覆性が劣化し、断線や信頼性上の問題が生じるためである。平坦化の手法は,段差上に形成された絶縁膜を何らかの手法で平坦化するものと、絶縁膜に形成されたホールや溝を、金属膜で埋め込むことにより平坦化する手法に分けることができる。
</p><p>後者の手法では、金属膜の埋め込みが重要であり、W-CVDはこの目的で広く利用されている。最も代表的な接続孔の埋め込みを例に取ると、ホール開口後に選択WーCVDで孔の上部付近まで膜を堆積することにより、表面の平坦化が可能となる。また、ブランケットW-CVDでは、密着層とW膜形成を行ってホール内部を埋め込んだ後に、エッチバックまたはCMP (化学的機械研磨)処理を施すことにより平坦化が可能となる。最近では配線に関しても、配線用の溝を金属で埋め込んだ後に、金属のCMPを行うことにより平坦化を達成するプロセスが注目されている。この手法は、金属膜のドライエッチングにより配線を形成する従来の手法と区別して、ダマシン法と呼ばれている。</p>
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