半導体用語集
均一性
英語表記：uniformity
エッチング速度や形状などエッチング特性の均一性には、複数のウェハ間の均一性と、1枚のウェハ面内の均一性がある。パッチ式装置では両者とも考慮する必要があるが、枚葉式装置ではウェハ間均一性は著しく改善され、ウェハ面内均一性が問題となる。
ウェハ面内均一性は、たとえばウェハの中心と端との均一性であり、ウェハ面内でのプラズマの均一性あるいはウェハ表面温度の均一性に起因する。プラズマ均一性とは、プラズマ中の反応ガス分子とそのフラグメントの中性活性種やイオンなどエッチング反応種の密度の均一性、および基板表面上に形成されたシースにおける電位降下 (シース電圧)の均一性であり、前者は中性活性種やイオンの基板表面への入射フラックスの均一性、後者はイオン入射エネルギーの均一性に関わる。エッチング特性の面内均一性の改善には、部分的にはオーバエッチングなどのプロセスで対処することもできるが、根本的には、チャンバ形状のみならすプラズマ発生部、ガス導入部、真空排気部、ウェハステージ部などの構造も含めたプラズマリアクタ全体のデサインが必要である。なおウェハ面内均一性に関しては, 上記の巨視的スケールでの均一性に加え,最近では微視的な均一性の重要性が高まっている。エッチング特性の徴 視的均一性とは、たとえばチップ内の中心と周辺回路部との均一性、またセル内のライン・アンド・スペース (L& S)パターンにおける最外部と内部バターンとの均一性などであり、パターンの幾何学的構造(パターン寸法、アスペクト比)やパターン密度の局所的な差違に依存する。マイクロローディング効果とも呼ばれる。
関連製品
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半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 不純物導入装置（拡散装置は成膜装置内） › 大電流イオン注入装置
CENTRIS SYM3エッチング装置
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半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 検査装置 › 光学式微小寸法測定装置
半導体製造装置・試験／検査装置・関連部品 › 検査装置 › SEM式微小寸法測定装置
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