カテゴリー

CENTRIS SYM3エッチング装置

Applied Materials,Inc
最終更新日: 2020年06月17日

1x/10nmノード以降の大量生産用の重要なエッチングアプリケーションにおいて、世界トップクラスのウェーハ間の均一性を前例のないチップ内図形制御にて提供することができました。

強化されたチップ内のエッチング精度をウェーハ全体で確保するために、Centris Sym3システムでは、必要な電力およびガスの供給、温度特性がTrue Symmetry?向けに全面的に再設計されています。さらに、Pulsyncの改善により、パターンローディングを最小限に抑える同期プラズマパルスの効果も増大しました。困難な高アスペクト比のエッチングを容易にする、オプションの二重周波数バイアスにより、さらに性能を強化することもできます。

基本情報

再設計されたSym3チャンバ環境により、チップ内の少数の原子レイヤー、チップ間、ウェーハ間でのプロセス制御が可能になります。Centrisプラットフォームは、大量生産に求められる優れた再現性と高い生産性を、搭載された6基のエッチングチャンバと2基のプラズマ洗浄チャンバの正確なプロセス整合性を確保する、システムインテリジェンス・ソフトウェアを通じて提供します。

お問い合わせ

取扱企業

Applied Materials,Inc

業種:産業用機械 3050 Bowers Avenue,P.O. Box 58039,Santa Clara, CA 95054-3299,United States 

半導体製造装置のトップ企業

成膜、エッチング、イオン注入装置、洗浄装置、各種検査装置まで幅広いラインナップを提供しています。保守、サポート体制も充実させています。

CENTRIS SYM3エッチング装置 へのお問い合わせ

お問い合わせいただくにはログインいただき、プロフィール情報を入力していただく必要があります。


ご依頼目的 必須

ご要望 必須

お問い合わせ ご意見等


※お問い合わせの際、以下の出展者へご連絡先(所属名、部署名、業種、名前、電話番号、郵便番号、住所、メールアドレス)が通知されます。

CENTRIS SYM3エッチング装置