半導体用語集
CMP (化学的機械研磨)
英語表記：Chemical Mechanical Polishing
次世代LSIにおけるメモリ、ロジックデバイスの配線構造は配線パターンの微細化とともに多層化が大きな鍵を握っている。この多層配線構造を効率よく実現するには各配線層をいかに 凹凸なく平坦に作るかがポイントになる。現在、注目を浴びているCMP技術はこの平坦化を実現する超精密ポリシング技術である。しかも埋め込み配線手法としてダマシン (damascene)法も提案され、銅配線が使えるというメリットさえ生み出している。
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