半導体用語集
広がり抵抗測定法
英語表記：spread resistance measurement method
広がり抵抗測定法は、拡散層・エピタキシャル層の深さ方向の不純物濃度プロファイルを測定する目的で主に用いられている。ASTM F525・F672で測定されている。金属-半導体の点接触で、順方向電流（I）が流れた時に発生する電位差（V）の関係は次式で表わせる。
V=I/Rs
この時のRs（Ω）が広がり抵抗である。電流はプローブ端から試料中に急速に広がり、接触点から離れると急速に電流密度が減少するため、接触点近傍のみで電位差を発生している。半導体の抵抗率ρでの電極プローブ端の半径aの2点法での広がり抵抗Rsは次式で表わせる。
Rs=ρ/2a
現実の広がり抵抗は、プローブ圧、プローブの昇降速度、試料の結晶方位、試料の面状態に大きく影響され、広がり抵抗の測定値Rₛₘとρとの関係式は、次式で表せる。
Rₛₘ=ρ/2aρ+Rʙ （n型）
Rₛₘ=ρ/2aeff （p型）
Rʙは障壁抵抗、aeffは実効的な接触面積半径である。広がり抵抗は接触点近傍付近の不純物濃度を反映することができるので、拡散ウェハ斜め研磨面の2点法による広がり抵抗測定は、不純物濃度の深さプロファイルを求める有効な測定法である。
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