半導体用語集
微粒子衝撃
英語表記：particle scrubbing
水や炭酸ガス(C02)を低温にして徴粒子(直径30～300μm)状に固化させ(それぞれ水とドライアイス)、これをジェットノズルを介してウェハ表面に噴霧する。この時水とドライアイスの衝撃力がウェハ表面に存在するパーティクルの付着カよりも大きけれは、パーティクルは表面から除去される。また氷やドライアイスがウェハ表面に付着しても、室温になれば水または 炭酸ガスとなるため不純物にはならない。 ポリスチレンのパーティクルをシリコン表面に付着させた試料のパーティクル除去率は、他のメガソニックなどを用いた洗浄と遜色がないと報告されている。 またこの方法と同様にアルゴンを極低温にして徴粒子化 (直径 1μm) し、これを被洗浄物表面に噴霧してウェハ表面のパーティクルを除去するという方法も報告されている。
この方法ではサブミクロンオーダのパーティクルも、レジストを塗布した表面を除き、パターンの有無に関わらず除去でき、またこの時表面にダメージを誘起しない。しかしこれらの方法は、パーティクル除去効果は認められるものの、今日メガソニックを用いた機械的洗浄が主流となっているため、半導体製造工程においては実用化には至っていない。
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