半導体用語集
拡散（熱拡散）
英語表記：Thermal Diffusion
初期の半導体製造技術では、物質や熱が濃度の高い方から低い方へ移動する拡散現象を利用して、n-型、р-型不純物を半導体へ導入していた。高濃度に不純物を含む膜を半導体基板表面に堆積し、高温にして基板内部へ導入する方法を熱拡散と呼ぶ。不純物の深さ方向分布は、温度：Tの関数である不純物毎の拡散係数：D（T）と時間：ｔによって決まり、拡散深さの目安は√Dtで表される。拡散時間を長くするとその分布は深くなると共になだらかになる。従って、半導体デバイスにとって重要な接合深さ（xj）は右図のように時間と共に深くなる。
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