半導体用語集
次世代のリソグラフィ
英語表記：next age lithography
半導体量産現場における最先端プロセスのデザインルールは、現在、0.25µmから0.22～0.2µmを経て0.18µmへと移行しようとしている。この際に、量産ラインで使用されている先端の露光装置は、KrFエキシマレーザを光源としたステッパあるいはスキャナである。KrFエキシマレ⇒ザに続く次世代のリソグラフィ技術としてあげられている選択肢は四つである。第一は、NA比を上げた超解像技術によるKrFエキシマの延命である。第二は、ArFエキシマレーザを光源とする露光装置、第三は、EB露光装置、第四はX線である。変形照明や位相シフトなどの超解像技術を選択することによって、KrFエキシマを延命させる方法は、既存の技術を使用できるという点で現実性が高いが、時間稼ぎという感が強い。ArFエキシマレーザは、レンズ硝材となるホタル石 が高価であることから、フットプリントが大きくなり、装置単価が1台10億円程度になると見込まれる。この点が量産ラインヘの導入の大きな障害となっている。加えて、マスクの欠陥検査の精度とコストダウンも課題と考えられ、マスク製造に関してもブレークスルーが必要であろう。EB露光装置は、すでに要素技術はあること、フォトマスクが不要であることが利点としてあげられるが、電子銃により一筆書きをするという装置の構造上、スループットが低いことから、量産ラインヘの導入を簡単には進められない。生産効率を考えた場合、採用されるケースでも、コンタクトホールの形成など限られたアプリケーションでのみ使用されるに留まると考えられる。X線は、紫外域のKrF（波長248nm)、 ArF（同193nm)に対して、圧倒的に波長が短い(0.71nm）。しかし、レジスト、マスクなどにおいて新材料を開発するというプロセスを残しており、現時点での評価は難しい。
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