半導体用語集
注入誘起ゲッタリング
英語表記：injection-induced gettering
注入とは格子間シリコン原子の注入を指す。ゲッタリング機構による分類として偏析誘起型、緩和誘起型とが確立されているが、注入型のゲッタリングは比較的新しい概念である。デバイス製造工程で行われるPDG法では、リン原子の拡散により格子位置にリン原子が入り込む際にシリコン原子を吐き出す。この格子間シリコンが金属不純物と結合してシリサイドを形成しゲッタリング現象を引き起こすと考えられている。同様にシリコンの酸化反応2Si+O2→SiO2+I に従い、シリコン原子1個が酸化される時、1個の格子間シリコン（I）が放出される。これも注入型ゲッタリングの一種と分類できる。Feは酸化膜にゲッタリングされやすいことが経験的に知られており（酸化膜ゲッタリング）、高い清浄度を要するゲート酸化膜形成直前に犠牲酸化と呼ばれる熱処理を施し、表面近傍のシリコン結晶中に含まれるFeを酸化膜に捕獲して、直後に形成するゲート酸化膜がFe汚染を受けにくくする手法が採られてきた。この現象に関してFe酸化膜に偏析しやすいと説明されることが多いが、酸化膜形成後にFeを拡散させても酸化膜中にFeが偏析することはなく、むしろシリコンと酸化膜の界面に濃集しているようにみえる。実際にSOIウェハで表面から金属汚染を拡散させるとFeやGrは埋め込み酸化膜とSOIシン層界面に濃集し、NiやCuは埋め込み酸化膜を透過することが確認されている。BMDへのゲッタリングでは、CrはBMDが十分成長した後にゲッタリングされるのに対し、FeはBMD成長初期にゲッタリング能力が高いとの報告がある。周囲の転位ループなどのシンクに吸収されずに残る格子間シリコンがFeのゲッタリングに関わるとの説がある。しかしシリコンのイオン注入領域にはFeのゲッタリングに関わるとの説がある。しかしシリコンのイオン注入領域にはFeの濃集は認められず、その機構はまだ明確ではない。
関連製品
「注入誘起ゲッタリング」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「注入誘起ゲッタリング」に関連する用語が存在しません。
「注入誘起ゲッタリング」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
