半導体用語集
液体封止引上法 加圧引上法
英語表記：liquid encapsulation Czochralski method high pressure Czochralski method
結晶素材の融液表面を液体封止材(B2O3、NaClなど)で覆い、封止剤を通して結晶を引き上げる方法。封止剤を結晶素材と一緒にるつぼに充填し、結晶成長雰囲気に不活性ガスを導入して加圧することにより、化合物半導体などの融点での高い蒸気圧（解離圧）をもつ半導体物質の逃散を防ぎながら結晶引き上げが行える。この結晶成長方法ではガリウムリンは1-2×106Pa、ガリウム砒素は0.5-1.0×107Paの高圧条件が設定される。
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