半導体用語集
温度計測終点検出法
英語表記:end point detection by temprerature measurement
CMPにおいて、層間絶縁膜または金属膜研磨の最適研磨量を得るための手法。研磨が進行するにつれて、研磨布温度の上昇が一般的に観測される。この温度上昇はスラリーの違い、研磨圧力、または、被研磨試料(膜種)の違いによっても生じることが一般的に知られている。この温度変化の微妙な違いにより、終点を判別する方法である。温度の計測点としては、研磨時の研磨布上の温度、または、ウェーハキャリヤに保持されているウェーハの温度上昇等があり、計測手段としては、赤外放射温度計が一般的に用いられる。
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