半導体用語集
点欠陥導入熱処理
英語表記：thermal treatment injecting point defect
点欠陥(格子間シリコン,空孔)を 半導体ウェハまたは結晶インゴットに 導入(注入)する熱処理を指す。シリ コンウェハを酸化すると,単位体積当 たりのSi原子の密度が Si と SiO2では約2：1の関係にあるため、、成長界面から過剰な格子間シリコン(Ι) を注入することができる。注入されるIの量は発生したOSFの大きさと密度から、酸化速度などに依存して増加することがわかっている。酸化膜下では非酸化性ガス中のアニールによっても、過剰なIの導入が可能である。またCZ-Siの熱処理によれば、過飽和な格子間酸素から酸素析出物が成長する際に酸化されない過剰なIが生じて周囲のシリコン結晶に注入される。シリコンウェハの窒化熱処理では、酸化と逆に空孔が注入される。
点欠陥導入熱処理を応用すれば、シリのコン結晶中に存在する二次欠陥が格子間シリコン型か空孔型かの判別が可能である。FZ-SiのA欠陥領域とD欠陥領域、およびこれらの中間のどちらにも属さないN領域を併せ持った縦割り結晶を試料として、点欠陥導入熱処理を施しCuデコレーション後のX線トポグラフィを観察することにより、酸化や窒化による二次欠陥（A欠陥、D欠陥）の挙動がわかる。D欠陥領域は酸化により縮小するため、空孔型の二次欠陥である。またA欠陥領域は窒化により縮小するため、格子間シリコン型の二次欠陥である。
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