半導体用語集
熱 CVD
英語表記：heat CVD
この方法は、生産性が高い、ステップカバレージがよいことから用途はきわめて広い。熱CVDの膜生成の原理は、たとえば揮発性の金属ハロゲン化物や金属の有機化合物などの高温での気相化学反応（熱分解、水素還元、酸化、置換反応など）によって、基板の上に、窒化物、酸化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化物、高融点金属、金属、半導体などの薄膜を作成する方法である。高温での反応ということは用途を限定するが、利用できる分野においては、緻密で高純度物質の膜がきわめて強い付着度でえられること、制御を確実に行えば安定に膜を作ることができることなどのために利用する分野が広がっている。また低温化の研究も進んでいる。主たる用途は、半導体集積回路の製造において、Si、金属、窒化物、酸化物などのエピタキシャル成長、SiO₂、 Si₃N₄縁膜や保護膜の作成が大きな分野を占めつつある。
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