半導体用語集
界面反応
英語表記：interface reaction
半導体と金属や半導体との界面においては，室温程度の比較的低温で構成元素の移動が起こり構成元素間で反応を起こす場合がある（界面反応）。シリコンでは，アルミ，金，銀，銅，パラジウム，ニッケルなどと界面反応による合金化が知られている。GaAs，InSbは金と，GaP，InP，CdSは金，銅と界面反応を示す。デバイスの配線と半導体間でこの界面反応が起こると，接合の短絡などのデバイスの破壊現象となるが，たとえば，シリコンと金属との化合物（シリサイド）のように，金属的な性質を示すために，逆に，電極として利用される場合もある。
GaAs，GaSb，InPなどの化合物半導体と金属との界面反応で生成する合金化界面層の厚さが，半導体の生成熱と金属-陽イオン化合物の生成熱との差と直線的な関係で結びつくことから，界面における金属と半導体構成元素との界面反応の機構を解明しようとする研究が行われている。
関連製品
「界面反応」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「界面反応」に関連する用語が存在しません。
「界面反応」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
