半導体用語集
界面反応
英語表記：interface reaction
二つ以上の物質相が接触する界面で発生する化学反応。サリサイド技術では、金属ｰシリコン、シリサイドｰシリコン、金属ｰ絶縁膜の各界面で生じる界面反応を制御することが重要である。さらに現実のサリサイドプロセスでは、ゲートのポリシリコンとソース・ドレインの単結晶シリコン、n型不純物注入領域とp型不純物注入領域、といった複数の異なる下地シリコンと金属の界面反応を考慮する必要がある。実際に、高濃度注入を行ったシリコン上では、シリサイド反応が抑制される例があることが報告されている。またTiSi₂を使用するサリサイドでは、「這いあがり」対策としてN₂雰囲気でのアニールを使用する場合が多いが、この時チタン表面が窒化される反応とシリサイド化反応が競争反応となるためさらに複雑になる。また、金属ーシリコン界面にシリコン酸化膜 (SiO₂)が存在すると、反応種の拡散が抑制され、均ーなサリサイド化反応の進行を妨げるため、金属膜の成膜前のシリコン表面の清浄化も重要である。
関連製品
「界面反応」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「界面反応」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
