半導体用語集
異常酸素析出
英語表記：AOP:Anomalous Oxygen Precipitation, precipitate
CZ-Si中の酸素析出が過剰な空孔により促進される現象。また析出した酸素析出物を指す。引き上げ速度にもよるが、ウェハ面内においてAOPは急冷されたウェハ外周部にリング状に現れることがある。隣接する領域の格子間酸素濃度が同程度であるにもかかわらずAOPが生じる理由は、高温からの急冷により過剰な空孔Vが閉じ込められ、
2Si+2Oi+V→SiO2
の反応が起きたことで説明される。したがって、AOP領域での析出は均一核形成理論に従わない。AOPは核形成処理を施さなくとも、1,000℃程度の析出熱処理後の試料のX線トポグラフィで検出可能である。成長中の切り離し急冷実験により一部のAOP領域は残り、この現象は格子間シリコンと再結合しなかった空孔が凍結されてAOPの核となったためと説明されている。CZ-SiのAOPはFZ-SiのD欠陥と対応関係がある。
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