半導体用語集
疎密形状差
英語表記：difference in profile between isolated and nested
エッチング終了後、同一寸法の露光パターン疎部と密部に発生する形状差。疎密形状差＝W1－W2 又は W2ｰW1。疎密形状差はエッチング方式、エッチング条件及び被エッチング膜の膜種・膜質によって異なる。
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