半導体用語集
真空紫外発光分析
英語表記：vacuum ultra Violet emission spectroscopy
真空紫外領域(波長200nm以下) の発光分析を真空紫外発光分析と呼ぶ。特に、原子の励起準位から基底準位へ遷移する際の発光波長は、真空紫外領域に多く存在するためにプラズマ中の原子(H,O,N,Fなど)の分析に用いられる。 たとえば、観測される発光として,
H (121.6 nm) 、C (165.7nm)、N(119.9nm)、0 (130.4nm)、F(95.9nm)などがある。真空紫外発光分析の場合、分光器の内部を真空に引いた真空紫外用分光器が必要である。さらに、プラズマ反応容器の窓材料として真空紫外光の高い透過率を有するものを選択することが必要である。通常MgF2などが用いられる。F原子の発光については、適当な窓材料が存在しないために、分光器と反応容器とを差動排気することが必要である。差動排気する場合、マルチキャピラリプレートと呼ばれる、多数の深孔を有したガラスを反応容器と排気系との間に設置する。これにより、真空紫外発光の透過と差動排気とを同時に実現することが可能である。
関連製品
「真空紫外発光分析」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「真空紫外発光分析」に関連する用語が存在しません。
「真空紫外発光分析」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
