半導体用語集
窒化インジウム
英語表記：InN
結晶構造：主にウルツ鉱構造を取る。格子定数：a=0.3544nm，c=0.5718nm（閃亜鉛鉱構造では0.498nm）。バンド構造：直接遷移型。エネルギーギャップ：2.4eV（LT），2.05（1.95）eV（RT）。有効質量：伝導帯mc*/m₀=0.11，バンド端平均正孔質量として，mv*/m₀=1.6が見積られている。フォノンエネルギー：LO=73.9meV（A₁，E₂），TO=49.6meV（A₁），60.8meV（E₁）（ウルツ鉱構造），LO=72.9meV，TO=56.7meV（閃亜鉛鉱構造）。変形ポテンシャル：a=-2.8eV。弾性定数（×10¹¹dyne/cm²）：c₁₁=27.1，c₁₂=12.4，c₄₄=4.6（ウルツ鉱構造），c₁₁=18.4，c₁₂=11.6，c₄₄=17.7（閃亜鉛鉱構造）。融点：1100℃。
GaNとの混晶InGaNは窒化物系青色，緑色LEDの発光層に使用されている。InxGa₁₋xNのエネルギーギャップはEg(x)=1.02x²-2.63x+3.50（eV）で与えられる。GaN，AlNは高品質の結晶を成長するのに通常1,000℃以上の温度が必要であるのに対し，InNは低い温度でないと分解してしまう。したがってへテロ構造を作製する際は，～800℃位に温度を下げ，かつInの供給量を大きくしてInGaN層を成長する。InNとGaNは格子定数のずれが大きく，歪による結晶性の劣化を防ぐために，薄いInGaN/GaN量子井戸構造にする必要がある。市販されている青色LEDは，In組成20%，井戸幅3nmの構造で，光出力5mW，450nmを中心とした発光スペクトルがえられている。緑色LEDではさらにIn組成を増加させ，ピーク波長525nm，3mWの光出力がえられる。現在こうした窒化物系発光素子はMOVPEによって量産されている。
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