半導体用語集
窒素イオン注入
英語表記：N ion implantation
Si酸窒化膜の形成方法として、Si基板に窒素イオン注入し、その後の熱酸化によって窒素含有のSi酸窒化膜とする方法がある。窒素量はイオン注入量で制御できるが、窒素注入量が多くなると酸化が抑制され、厚膜化が困難になる。ウェハの領域によって違った厚さの数種類のSi酸窒化膜を一度の酸化工程でえる方法としても簡便である。ただし、当然のことながらそれぞれの窒素含有量は異なるので、Si酸窒化膜として構造の最適化はできない。他の方法として、Si酸化膜上に堆積したポリシリコン膜に窒素イオン注入し、熱処理により酸化膜に拡散することも可能である。窒素ドーズ量は 1015 ions/cm2以上、1,000℃、15分程度の拡散用熱処理が必要である。大半の窒素は内部より外方に拡散するので、カバー膜が必要である。この方法で窒素をSi酸化膜に含有させることができるが、窒素原子がSi酸化膜の Siダングリングボンドと十分に結合していないため、NOアニールでえられるSi酸窒化膜ほど緻密でない。
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