半導体用語集
経時絶縁破壊 TDDB
英語表記：TDDB: Time Dependent Dielectric Breakdown
経時絶縁破壊とは，絶縁破壊以下の電界において電圧または電流ストレスを酸化膜に印加し続けると破壊に至るというものである。その故障モードは大きく二つに分類され，比較的早い時間で故障するBモード故障と，ある時間を境に故障が急激に増加する真性故障（Cモード）がある。真性故障とは酸化膜の本質的な寿命，すなわち使用限界を表わす。実際のデバイスレベルでみた場合，熱酸化膜における真性寿命は一般的に製品寿命をはるかに超える寿命を持つために通常問題となることはない。一方，Bモード故障はデバイス形成時に酸化膜中に生じる欠陥，すなわち製造プロセスにおけるダメージやシリコン基板表面に存在する結晶欠陥などが熱酸化時に酸化膜中に取り込まれることにより生じる酸化膜のウィークスポットに起因する故障
で，フィールド故障と密接な関係にある。この故障モードは出荷前にバーンインによるスクリーニングを実施することで除去される。酸化膜破壊のメカニズムとしては，酸化膜中に存在するトラップに，FN（Fowler-Nordheim）電流により注入された電子が捕獲されることによる局所的なリークパスの形成によるという説が有力である。
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