半導体用語集
結晶のねじれ
英語表記：twist of crystal
融液の温度を下げると、結晶の引き上げ速度を高速にできるが、過度の過冷却状態を与えると〈100〉成長の結晶は四角形に、〈111〉成長の結晶は三角形に変形する。場合によっては、大きくスパイラル状にねじれて成長することがある。これは、結晶の中心と融液温度の中心がずれていることが原因と考えられる。CZ法では、過冷却度の小さい低速引上げ時には、比較的融液中の半径方向の温度勾配が大きく取れているので、顕在化しにくいが、過冷却度を大きくして引上げ速度が上がる状態を作ると、半径方向の温度勾配が小さくなり、ねじれ成長が顕在化する。しかし、無転位成長の場合より、ねじれが発生する引き上げ速度が高速であることから、ステップ成長による過冷却と関係があることを示唆している。なお、結晶のねじれは、引き上げ装置のシャフト軸のずれや、ワイヤケーブルの振れなどが、直接的な原因になる他、ヒータや炭素るつぼの不均一な枯れ（SiOとCあるいは、SiO2とCの反応による）や、ホットゾーンのセッティング時のセンター出し不良など、部材の使用回数に伴う経時変化や、人為的原因でも生じる可能性がある。
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