半導体用語集
結晶成長基礎
英語表記：basic of crystal growth
種子結品を用いて結品核形成の人為的制御を行うことをエピタキシャル成長といい、種子結晶（または基板結晶）表面にある定まった方位関係の結晶を成長させることができる。
種子結晶と成長結晶材料が同一の場合をホモエピタキシー、異なる場合をヘテロエピキタシーと呼ぶ。
エピタキシャル成長を行わせる方法として気相法、液相法、固相法がある。気相法とは、ハロゲン化物の不均化反応や熱分解を利用して気相からの結晶成長を行わせる方法である。化学墔積 (CVD: Chemical Vapor Depo-sition）法、有機金属気相成長(MOCVD: Metal Organic ChemicalVapor Deposition） 法、分子線エピタキシャル（MBE ： MolecularBeam Epitaxy）法、あるいはそれらを組み合わせた方法がある。
本項では、重要な基礎用語をいくつか紹介する。
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