半導体用語集
自己スパッタリング
英語表記：self sputtering
低エネルギーの領域になると、イオンのレンジがごく表面に限定されるため、いったん注入されたイオンが同じイオンによってスパッタリングされる現象が発現する。一般に1keV以上のイオンをシリコン表面に注入するとスパッタリングが生じシリコン表面が剥離されてゆく。その量はおおむねスパッタリング収率を1とすると、注入した分だけスパッタリングされる。5×1015cm-2注入すれば、数モノレイヤのシリコン層が失われる。顕著な場合はヒ素(As)を5×1016程度、6keVという低エネルギーで注入すると、おおよそ半分のAsが失われるという事実がある。これは極端な例ではあるが、低エネルギーでイオンやプラズマによって不純物の注入を行う場合には考慮しておくべき間題である。
関連製品
「自己スパッタリング」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「自己スパッタリング」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
