半導体用語集
表面パーティクル測定
英語表記：particle distribution measurement
表面パーティクルの測定方法は、ベアウェーハ上とパターン付きウェーハ上で異なる。これらの測定から得られる情報は、欠陥の大きさ、個数、位置などであるが、パーティクルを含めた欠陥分類機能も重要である。ベアウェーハの測定に求められる要件は、測定感度である。現在ではその感度は、0.08μm以上の大きさのパーティクルを90％以上の捕捉率で捕える必要がある。測定原理は、レーザー光の反射と散乱を用いる。製品ウェーハ上のパーティクル測定と工程管理の自動化は、高歩留まりと信頼性を確保するために不可欠である。CMP工程では異常の発生を検知し、短時間で適切な対応をすることが必要である。この検査では、様々なキラー欠陥に対して優れた検出レートを持ち、スループットが高く、疑似欠陥の検出レートを低く抑えられ、表面層の欠陥を選択的に検出できる暗視野照明のシステムが採用されつつある。
関連製品
「表面パーティクル測定」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「表面パーティクル測定」に関連する用語が存在しません。
「表面パーティクル測定」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
