半導体用語集
表面基準研磨
英語表記：polish reference to front surface of the water
研磨する被加工物の表面を正（基準）にする研磨のこと。半導体デバイスウェーハの表面凹凸をCMPによって段差解消する場合、研磨布の表面にウェーハ表面を均一に押し付けて、ウェーハ全面を表面から順次均一研磨することがキーポイントとなる。そのため、ウェーハの裏面側から弾性体のバッキングフィルムを介して加圧し、デバイス面を研磨布表面に押し付けると、ウェーハの表面を基準にして研磨できる。ベアシリコンウェーハのCMPでは、セラミックプレートにワックスで高精度接着してポりシするが、この場合は裏面基準研磨である。
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