半導体用語集
裏面基準研磨
英語表記：polish reference to back surface of the wafer
ウェーハを研磨する際、ウェーハ裏面に倣った研磨をいう。これに対し、ウェーハの表面に倣った研磨を表面基準研磨という。例えば、シリコンの研磨は、ワックスを用いてウェーハを研磨ヘッドに固着し非固着面を研磨する。この場合、研磨はウェーハ裏面に倣った研磨となる。一方、表面基準研磨の代表としてはCMPが挙げられる。ウェーハの最表面から一定の量を均一に研磨する方法である。すなわち、ウェーハ裏面を弾性体であるバッキングフィルムで保持することにより、ウェーハ表面の圧力分布を吸収することで達成される。
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