半導体用語集
角度研磨法
英語表記：angle lap method
角度研磨法は、エピタキシャル成長膜厚、pn接合深さやドーパントの深さ方向分布を測定する際に用いられる手法である。30"~3°の浅い角度を持った角度研磨用治具にシリコン片をワックスで固定し、研磨板(ガラス板など)と研磨材(ダイヤモンドペーストなど)を用いて一定角度で研磨する。 研磨面はステインエッチでpn接合境界を描出したり、二探短針で拡がり抵抗を測定する。角度研磨された部分の長さをL、研磨角をθとすると、膜厚tはt=Lsinθで与えられる。たとえば、θ=3度とするとしは膜厚の ~19倍になり、薄膜の場合でも顕微鏡評価が容易になる。ステインエッチが使用できるのはn/n+、p/p+、p/n など、エッチングで差が出る場合のみであるが、ステインエッチの替わりに 拡がり抵抗法を使うと適用範囲が広がる。この角度研磨/拡がり抵抗法は角度研磨されたウェハ表面と研磨面の境 界線上から、境界線と垂直方向に一定 間隔で研磨面の拡がり抵抗を評価する方法である。拡がり抵抗ではドーパント濃度差が小さい場合にも測定でき、n/n、p/pでも精度は落ちるが測定可能である。また、膜厚だけでなく多層構造の深さ方向ドーパント濃度も評価できる。深さ方向拡がり抵抗評価装置は市販されており、エピタキシャルウェハの深さ方向ドーパント濃度分布の品質管理に利用されている。
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