半導体用語集
誘導結合プラズマエッチング装置
英語表記：induced combination plasma etching equipment
高周波誘導方式のプラズマヘリカル共振器は、円筒状の石英チャンバにら旋状にコイル状アンテナを巻く。このコイルに交番電流を流すことにより、アンテナに直交する交番電界が生じ、これを介して、真空中にアンテナに流れる電流とは逆方向の誘電磁界が発生する。この磁界によって電子が加速され、プラズマが生成する構造となっている。チャンバの回りは静電シールドされている。5×10⁻⁴Torrの低圧下で、イオン密度1×10¹²/cm³のプラズマがえられるといわれる。広い圧力範囲(10⁻⁴～10¹²Torr)で高密度プラズマがえられる。
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