半導体用語集
赤外線リフロー装置
英語表記：infrared rays reflow equipment
赤外線の輻射熱を利用してはんだを溶融して部品をはんだ付けするリフロー装置。赤外線リフローは，最も広く応用されているはんだ付け方式であり，装置構成は予備加熱ゾーン，リフローゾーン，基板冷却部からなる。熱源は特殊セラミックコーティングを施したシーズヒータを利用し，赤外線がアルミ反射板にて効率よく照射される。リフローゾーンは，予備加熱ゾーンよりシーズヒータ表面温度を高くし，赤外線照射量を増やしている。
赤外線リフロー装置の長所は，炉の構造が非常に簡易であるため装置価格が安い，メンテナンスフリー，ランニングコストが安いことがあげられる。短所は，温度安定に時間がかかる。通常は1時間以上も温度安定のために待つ。炉内気体温度は，外気温度によって変動するために季節的な温度管理には十分注意する。放射率の低いメタル基板などの加熱には向かない。赤外線方式では基板上の伝熱量が一定なため，部品が搭載されている熱容量の大きな場所の温度は上昇しにくく，逆に部品の搭載されていない場所の温度は上昇しやすい。
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