半導体用語集
赤外線干渉終点検出法
英語表記：end point detection by infrared interferomety
CMPなどの加工工程終了点を検知する光学的手法のうち、赤外域の光干渉を用いる方法。CMPの終点を光学的に検知するにあたっては、薄膜の除去の状況を、膜厚変化による反射光や透過光の干渉条件の変化として捉えることが一般的である。Siは波長1μm付近から吸収係数が小さく、10μm程度の波長の光までほぼ透過するため、この波長域の赤外光を用いると、Siウェーハの裏面からの光照射でも表面の膜からの光の干渉情報を得て、研磨終点の検出が可能になる。裏面から観察することで計測点を研磨時に固定することが可能になり、研磨中にウェーハ表面に存在するスラリー層の影響も軽減できる。機構の実現には、研磨ヘッドへの光学系の組み込みが必要となり、装置とのマッチング、ウェーハ裏面状態、裏面付着物などの計測への影響の除去、計測時の信号処理などがシステム構築上の課題となる。
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