半導体用語集
超音波併用熱圧着ワイヤボンディング
英語表記：ultrasonic and thermo compression wire bonding
熱圧着ボンディングに超音波を併用することでより低温領域で接合を可能にしたボンディング方法。熱圧着ボンディングでは半導体素子およびリードフレームの加熱温度が300～350℃と高温であり，パッケージに使用される部材が制限されたり，高温放置による合金劣化などのデメリットがあるが，これに超音波を併用すると，200℃以下の加熱温度で低荷重の下に信頼性の高い接合が得られる。TS（Thermo Sonic）法とも呼ばれる。
熱圧着時に超音波振動を付加することにより，酸化膜の破壊と両金属の反応は接合界面の摺動により促進され，少ない塑性変形量で効率よく拡散接合を行うことができる。すなわち，微細接合に向けての小ボール化に適したボンディング方式であるといえる。また，熱圧着ボンディングと比較して，加熱温度が低温であるため，パッケージを構成する部材の自由度が広がり，多種多様なパッケージに対応できる。
現在，超音波併用熱圧着ワイヤボンディングがワイヤボンディングの主流となっている。
関連製品
「超音波併用熱圧着ワイヤボンディング」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「超音波併用熱圧着ワイヤボンディング」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
