半導体用語集
軽元素不純物
英語表記：light element impurity
軽元素の存在により、結晶特性が大幅に変化する。炭素、酸素、窒素を意識的に注入することによって、結晶欠陥の析出特性を制御することができる。しかし、水素は低温でも拡散が速いこともあり、また水素は様々な反応で発生するため、残存水素量を制御することは困難であり、様々な温度で様々な働きをする。融液中に水素が存在すると、結晶化時に高温で棒状の水素欠陥が発生し、冷却でのサーマルショックで転位対は発生する事例がある。結晶育成中に極微量に存在した水素が、低温でのサーマルドナーの形成を加速し酸素析出を加速するとの事例もある。また、酸化膜を形成すると、膜とシリコンとの界面では、必然的に未結合手（dangling bond）が発生し、界面電荷密度が大きくなりデバイス特性がえられない。実際のデバイス過程では水分のリークがあり、水素がその未結合手に終端結合し、未結合手に終端結合し、未結合手に終端結合し、未結合手の発生を抑制しているとの事例もある。逆にgrownｰin欠陥を高温水素処理で消去させる事例もある。軽元素の検出は、リチウムを除いて電気的に不活性であるため、一般的に荷電粒子放射化分析法（CPAA）、赤外吸収分光法、SIMS法を用いる。
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