半導体用語集
逆光電子分光法
英語表記：IPES: Inverse Photoelectron Spectroscopy
低速電子励起による光子発生を利用した電子状態解析法である。固体表面に低エネルギーの電子を入射すると，試料は低いレベルの励起状態になるが，よりエネルギーの低い非占有準位に緩和する時光子を放出する。この光子を検出することにより，固体表面の非占有電子状態を直接観測することができる。これは光電子分光法の逆の過程を利用しているので逆光電子分光法と呼ばれる。非占有電子状態の観測はフェルミ準位と真空準位間の電子状態の研究に非常に有効であることを意味し，半導体におけるバンドギャップ中の表面準位などの研究に用いられる。また，表面吸着による表面準位の変化から吸着メカニズムの解明にも有用である。
測定法（装置）には2通りある。入射電子のエネルギーを走査して，一定のエネルギーの光子の強度変化を検出するものと（isochromat typeという），入射電子のエネルギーを一定にして，光子のエネルギー分布を測定するもの（tunable photon energy typeという）である。後者では入射電子工ネルギーの関数としてスペクトルがえられるので，それだけ多くの情報がえられる。
光電子分光法における光電子放出にくらべて，逆光電子分光法における光子放出率は大変小さく，単色で大電流の電子銃や高感度光子検出などのエ夫が必要である。半導体表面の電気物性・電子状態の基礎研究に有用である。
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