半導体用語集
遮光帯
英語表記：shielding light band
遮光帯は、ハーフトーン型位相シフトマスクを使用した際に、特定部分に対し不必要な透過光を遮光するためのパターンである。代表的な材料は、通常のフォトリソグラフィで使用しているクロム(Cr)や酸化クロム(CrO) 系などが用いられている。ハーフトーン型位相シフトマスクは、遮光部においてもわすかに露光光を透過させているため、ウェハ上にもこの光が到達する。これは、露光量の増加により弊害が発生する場合がある。たとえば、所望パターンの転写に高露光量が必要な場合、ウェハ面上のレジストを遮光部分においても露光してしまい、レジストが変化してしまうことがある。また、露光部分が重なる部分においては二重、三重等露光されることによるウェハ上のレジストへのダメージを与えてしまうことがある。他の弊害としては、ハーフトーン型位相シフトマスク特有の問題であるサイドロブが発生しウェハへ転写されることがある。これらを防止するために、所望のパターンの周辺に遮光膜を設けたり、サイドロプが発生する部分に遮光膜を設けたりする。
関連製品
「遮光帯」に関連する製品が存在しません。キーワード検索
フリーワードやカテゴリーを指定して検索できます
関連用語
関連特集
「遮光帯」に関連する特集が存在しません。
会員登録すると会員限定の特集コンテンツにもアクセスできます。
