半導体用語集
ハーフトーン型位相シフト露光法
英語表記：attenuated Phaseーshifting method, half-tone phaseshifting method
ハーフトーン型位相シフトマスクを使用する露光法であり、工ッジ強調型位相シフト露光法の一つである。工ッジ強調型位相シフト露光法は、様々な方法により位相シフタにより一部の光の位相を反転させ、回路パターンなどの光学像に対し工ッジ部分のコントラストを向上させる方法である。ハーフトーン型位相シフト露光法は、通常露光光が完全に遮光されている部分にわすかな光を透過させ、開口部の光の位相を反転させており、おのおのの光が重なり合う工ッジ部分の光強度を低下させる方法である。工ッジ部の光は、位相が反転しているため開口部の光と打ち消し合うことにより光強度としては低下する。このため、限界解像力の向上は少ないが、焦点深度が向上する。このエッジ部のコントラストを向上させる方式は、孤立のホール系、ライン系に対し効果的である。また、繰り返しパターンに対しては、斜入射照明と組み合わせることにより解像力、焦点深度が向上する。しかし、繰り返しパターンが存在する時などいくつかのパターンの光学像が干渉する時は、サイドロブといった本来のパターン部以外に光強度を発生させることがある。斜入射照明と組み合わせても完全には除去できない。また、遮光部がわずかであるが光を通しているために二重、三重等露光される部分においては、ウェハ上のレジストを感光させてしまうこともある。これらの対策としては、光学条件、パターン配置、寸法、マスク透過率の最適化などの最適化が必要であり、または、サイドロブの発生する部分など不適切な部分に対しては遮光帯などの完全遮光部を設ける方法がある。
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