半導体用語集
選択破れ
英語表記：selective break
選択W-CVDは、膜形成の下地に依存した選択性を前提としたプロセスであるが、常に選択性が完全保たれるわけではなく、種々の要因によって Si02上にW膜の粒状の成長が起こる場合がある。これを選択破れと呼んでいる。半導体の製造プロセスでは、選択破れは配線のショートを引き起こすため大きな問題となる。選択破れは酸化膜上の核生成サイトを起点として生じると考えられ、パーティクルや金属汚染物、酸化膜表面の化学結合状態 (膜質)、CVDプロセス中の反応副生成物 (SiFｘなど)の吸着などが要因となることが知られている。化学結合状態を例に取る と、Si02膜表面に OH基および未結合種が多数存在する場所では、(1) Si-OH → Si-+OH (2)Si-OH → SiO-+Hの状態が存在し、 (1)はSiH4/WF6の吸着、解離を促進する吸着点、(2)は水素原子を供給する場所、として作用するため、Wの粒状成長が発生するとの報告がある。このような酸化膜の欠陥を減少させる方策として、種々の前処理の使用が検討されている。また、反応副生成物の影響を抑制する目的で、反応室の内壁での原科ガスの消費を抑制できるコールドウォール方式を採用したり、反応室の排気速度を大きく取るなどの装置的な対策が取られている。
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