半導体用語集
酸化膜CVD
英語表記：oxide film Chemical Vapor Deposition
Siウェハプロセスで利用される酸化膜には、SiOx、PSG（Phosphosilicate Glass，リンを含んだSiO₂）、BSG（Borosilicate Glass，ホウ素を含んだSiOx）、BPSG（Borophosphosilicate Glass，リン並びにホウ素を含んだSiOx）、TaO₅などがある。SiOx系の酸化膜堆積には、Si原料として、SiH₄、SiHxCly(x+y=4)、TEOS（tetraethylorthosilicate）などが利用される。酸素原料として、O₂、NO、 NO₂、N₂Oなどが利用される。SiOx系の酸化膜は、ウェハプロセスでは多層配線における層間絶縁膜に利用されている。典型的な酸化膜CVDは常圧CVD法で形成され、基板温度は300～400℃程度である。ただし、堆積直後の膜は粗であるため、一般的には熱処理を行い緻密化される。近年TEOSを利用した酸化膜が利用されているが、これは段差のあるAl金属配線であっても被覆性よく、かつ平坦化できることから利用されている。SiO₂系酸化膜の比誘電率は約4であるため、配線のRC遅延を低減させるために、フッ素を含有したSiOF系の酸化膜がCVDで形成される。SiOF系酸化膜の誘電率は3.5程度である。F含有量を多くすれば比誘電率は3以下まで低下させることが可能であるが、吸湿性が大きくなることから、実際に利用されているSiOF膜の比誘電率は3.5程度である。多層配線の層間絶縁膜としてより低い比誘電率のものの開発が進められている（低誘電率層間絶縁膜）が、これらはSiOx系ではない場合が多い。
ウェハプロセスで利用させる酸化膜でMOSFETのゲート酸化膜に利用されているSiO₂は、一般にSi基板の酸化によって形成する。酸化が利用されるのは、化学量論的組成を持つSiO₂が形成でき、SiとSiO₂界面の界面密度を低くできるからである。CVD法では、SiO₂とSi界面特性を確保できないため、利用されていない。
また、絶縁物として窒化膜のCVDがある。LOCOS（Local Oxidation of Silicon）プロセス工程で利用されるSi₃N₄膜、ウェハプロセスの最後に保護膜として形成されるSiN膜などがある。
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