半導体用語集
TEOS
英語表記：tetra ethoxy silane
半導体製造プロセスで用いられる代表的酸化膜CVD用原料で、LP-CVDやプラズマCVDによる酸化膜形成工程で用いられる。化学式はSi(OC2H5)4、常温では液体で数10℃に加熱してキャリアガスにより反応容器に導入される。熱的には650～800℃で分解するが、プラズマを用いる場合は400℃程度でプロセスを行うことが出来るため、メタル層間絶縁膜にプラズマTEOS酸化膜が用いられるのが一般的である。
関連製品
CMDシリーズ
株式会社アルバック
CMDシリーズはSiH4やTEOSを用いたa-Si膜、シリコン酸化膜、窒化膜成膜用枚葉式CVD装置です。
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