半導体用語集
酸素ドナー
英語表記：oxygen donor
チョクラルスキー法で育成したシリコン結晶は結晶成長直後の冷却中に450℃近傍の温度領域を通過するとき、また450℃前後の熱処理で発生する、酸素に起因するドナー。結晶の抵抗率を変えてしまう。
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