半導体用語集
重金属不純物
英語表記：heavy metal impurity
重金属が極微量であっても結晶中に含まれていると、結晶の電気特性や結晶特性を劣化させる問題を発生する。この中で汚染の機会が高いのがFeとCuである。原材料であるポリシリコンや石英るつぼの重金属は十分に検出できる量を含んでいるが、重金属の偏析係数が十分に小さいため、幸いなことにCZ結晶製造工程が純化工程となり、結晶中の汚染は1×1010atoms/cm3以下となっている。この不純物レベルの検出は、最も高感度とされる中性子放射化分析（NAA）法やICP-MS法では直接分析するのは困難になっており、CZ結晶引き上げ時の残湯分析で間接的に検出している。電気的に活性なFeなどの不純物は、DLTS、SPV、μ波PCDなどにより、電気的に検出している。ウェハ表面分析は、全反射蛍光X線分析（TXRFS）法、VPD＆ICP-MS法を用いることにより、要求検出レベルである109atoms/cm3レベルの高感度分析ができるようになっている。
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