半導体用語集
ライフタイム
英語表記：lifetime
シリコンウェハの結晶性を電気的に評価する指標の一つで、最近では主要品質ロードマップにもあげられている。光照射などでウェハに過剰な電子と正孔のキャリアを注入した時、ウェハに格子欠陥や重金属不純物などによるトラップ（捕獲）準位があると、これらのキャリアはトラップを介して再結合し、キャリア密度は時間とともに指数関数的に減少するが、最初の密度に対して 1/e になる時間をライフタイムと呼んでいる。
通常測定されるライフタイムτₑはバルクライフタイム（再結合ライフタイム）τbと、表面層にあるトラップ準位の再結合による表面ライフタイムτₛで、τₑ = τb + τₛ で表わされる。正しいバルクライフタイムを求めるためには、表面ライフタイムの影響をできるだけ除かなければならない。
pnダイオードに逆バイアスをかけると、逆バイアスリーク電流が測定されるが、このリーク電流から生成（発生）ライフタイムτgがえられる。この場合は空乏層内のトラップ準位から発生する電子と正孔が寄与する。エピタキシャルウェハでは、エピタキシャル層のみの結晶性を評価するために、生成ライフタイムを測定する。
ロードマップによると、最先端のミラーポリッシュウェハの再結合ライフタイムは300μs、エピタキシャルウェハの生成ライフタイムは、1ms程度が目安である。
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